タンタル
Tanb3/ Tanb20/ Ta2.5w プレート価格（kg）スパッタリングターゲット用タンタル板
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- タンタルターゲット、タンタルチューブ、シート、ロッドは青灰色の遷移金属で、高融点金属です。タンタルは延性があり、硬く、耐腐食性があり、王水と反応しません。化学装置、真空管、医療機器、インプラントの製造に使用されます。
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- タンタルスパッタリングターゲットは、半導体およびエレクトロニクス産業の厳しい要件を満たすように設計されています。当社のスパッタリングターゲットは、薄膜堆積プロセスにおいて優れた性能と信頼性を確保するために、精密さと専門知識に基づいて製造されています。
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- タンタルは耐食性に優れ、熱伝導性と電気伝導性に優れた金属であるため、スパッタリングターゲットに最適な材料です。当社のタンタルスパッタリングターゲットは、様々なスパッタリングシステムと成膜要件に対応できるよう、様々な形状とサイズをご用意しております。平面型、回転型、あるいはカスタム形状など、お客様のアプリケーションに最適なソリューションをご提供いたします。
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- 当社のスパッタリングターゲットは、高度な製造技術を用いて製造されており、高い純度と密度を実現し、均一で安定した膜堆積を実現します。タンタルの優れた材料特性と精密な製造プロセスを組み合わせることで、優れたスパッタリング性能、均一な膜厚、そしてターゲットの侵食を最小限に抑え、生産性とコスト効率の向上を実現します。
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- スパッタリングターゲットが薄膜形成プロセスにおいて果たす重要な役割を深く理解し、最高水準の品質と性能を備えた製品を提供することに尽力しています。当社のタンタルスパッタリングターゲットは、厳格な品質管理体制のもと、信頼性と一貫性を保証し、お客様の重要なアプリケーションに必要な安心感を提供します。
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- タンタルスパッタリングターゲットは、お客様のご要望に合わせてカスタマイズも承っております。特殊な形状、サイズ、純度など、ご要望に応じて、当社の専門チームがお客様と協力し、お客様の仕様にぴったり合ったソリューションを開発いたします。
タンタルスパッタリングターゲットは、基板上に薄膜を堆積させる技術であるスパッタリング成膜プロセスで使用される材料です。タンタルスパッタリングターゲットは高純度タンタルから作られ、半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池などの電子デバイスの製造に使用されます。
スパッタリングプロセスでは、高エネルギープラズマがタンタルスパッタリングターゲットに衝突し、ターゲット表面からタンタル原子が放出されます。放出された原子は基板上に堆積し、薄膜を形成します。タンタルスパッタリングターゲットは、高い融点、耐腐食性、優れた導電性を備えているため、スパッタリングプロセスに最適です。
タンタルスパッタリングターゲットは、様々なスパッタリングシステムや成膜要件に対応できるよう、様々な形状とサイズで提供されています。高度な電子機器の製造において重要な部品であり、幅広い業界で使用されています。
スパッタリングプロセスでは、高エネルギープラズマがタンタルスパッタリングターゲットに衝突し、ターゲット表面からタンタル原子が放出されます。放出された原子は基板上に堆積し、薄膜を形成します。タンタルスパッタリングターゲットは、高い融点、耐腐食性、優れた導電性を備えているため、スパッタリングプロセスに最適です。
タンタルスパッタリングターゲットは、様々なスパッタリングシステムや成膜要件に対応できるよう、様々な形状とサイズで提供されています。高度な電子機器の製造において重要な部品であり、幅広い業界で使用されています。
当社のタンタルスパッタリングターゲットは、優れた性能、信頼性、一貫性を期待でき、薄膜堆積の目標に最適な選択肢となります。
タンタルターゲット、タンタル焼結ターゲット
| 標準 | ASTM B 708-2001 |
| 寸法 | Φ(25-400)mm*(3-28)mm |
| 材料 | RO5200、RO5400、RO5252(Ta-2.5W)、RO5255(Ta-10W) |
| 円形ターゲットのサイズ | 直径25mm～400mm×厚さ3mm～28mm |
| 長方形のターゲットサイズ | 厚さ1mm～12.7mm×幅600mm×長さ2000mmまで |
| 純度 | ≥99.95%または99.99% |
技術パラメータ
| 学年 | 3N、3N5、4N、Ta 99.99% |
| 再結晶 | 95%以上 |
| 粒度 | ASTM 4以上 |
| 表面仕上げ | 最大16Rms。またはRa 0.4（RMS64以上） |
| 平坦性 | 0.1mmまたは最大0.15% |
| 許容範囲 | すべての寸法で+/-0.010インチ |
化学組成
| 化学 ppm | ||||||||||||
| 指定 | 主成分 | 不純物最大 | ||||||||||
| 直面する | 注記 | 鉄 | そして | で | で | のために | の | ザ | C | H | 北 | |
| タ1 | 残り | 300 | 40 | 30 | 20 | 40 | 40 | 20 | 150 | 40 | 15 | 20 |
| タ2 | 残り | 800 | 100 | 100 | 50 | 200 | 200 | 50 | 200 | 100 | 15 | 100 |
| タンタルニオブ3 | 残り | 35000未満 | 100 | 100 | 50 | 200 | 200 | 50 | 200 | 100 | 15 | 100 |
| タンニオブ20 | 残り | 170000- 230000 | 100 | 100 | 50 | 200 | 200 | 50 | 200 | 100 | 15 | 100 |
| Ta2.5W | 残り | 400 | 50 | 30 | 20 | 30000 | 60 | 20 | 150 | 50 | 15 | 60 |
| Ta10W | 残り | 400 | 50 | 30 | 20 | 110000 | 60 | 20 | 150 | 50 | 15 | 60 |
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