高純度ハフニウム金属スパッタリングターゲット、電子機器用ハフニウムターゲット
ハフニウム薄膜コーティングは、表面硬度と保護性能の向上にも使用できます。AEMは、最高品質の精製結晶棒を使用したハフニウムスパッタリングターゲットを製造しており、高純度、低ジルコニウム含有量、高い信頼性を実現しています。
ハフニウムスパッタリングターゲットの特性
| 化学式 | HF |
| 原子量 | 178.49 |
| 色/外観 | グレースチール、メタリック |
| 融点 | 2227℃ |
| 熱伝導率 | 23 W/mK |
| 熱膨張係数 | 5.9 x 10-6/K |
| 理論密度(g/cc) | 13.31 |
| Z比 | 0.36 |
| スパッタ | DC |
| 最大粉末密度(ワット/平方インチ) | 50 |
| 債券の種類 | インジウム、エラストマー |
ハフニウムスパッタリングターゲットの仕様
| 説明 | ハフニウムスパッタリングターゲット | |
| 典型的な純度 | Hf + Zr>99.99%、 | Zr |
| サイズ | 円形: 直径 1 mm。 | ブロック: 長さ 1mm |
| 形 | ディスク、プレート | 柱、階段、特注 |
ハフニウムスパッタリングターゲットの用途
1. 半導体蒸着、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)などの蒸着プロセスに使用されます。
2. 摩耗保護、装飾コーティング、ディスプレイなどの光学用途に使用されます。
当社の高品質ハフニウムスパッタリングターゲットは、半導体および電子機器製造における薄膜堆積に最適なソリューションです。当社のハフニウムスパッタリングターゲットは、現代のスパッタリングプロセスの厳しい要件を満たすように設計されており、卓越した性能と信頼性を保証します。
当社のハフニウムスパッタリングターゲットは、様々なスパッタリングシステムに対応するため、様々なサイズと構成をご用意しており、様々な装置との柔軟性と互換性を提供します。マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング、その他のスパッタリング技術のいずれにおいても、当社のハフニウムターゲットは、均一かつ安定した膜堆積を実現し、高性能な電子機器や半導体部品の製造に貢献します。
標準的なハフニウムスパッタリングターゲットに加え、お客様のご要望に合わせて、形状、サイズ、組成など、カスタム製造オプションもご用意しております。当社の専門家チームは、お客様の薄膜成膜ニーズに合わせたオーダーメイドのソリューションを提供することに尽力しております。
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