高純度ハフニウム金属スパッタリングターゲット、電子機器用ハフニウムターゲット
ハフニウム薄膜コーティングは、表面硬度と保護にも使用できます。AEM は、高純度、低ジルコニウム含有量、高信頼性を保証する最高品質の精製結晶バーを使用したハフニウム スパッタリング ターゲットを製造しています。
ハフニウムスパッタリングターゲットの特性
化学式 | HF |
原子量 | 178.49 |
色/外観 | グレースチール、メタリック |
融点 | 2227℃ |
熱伝導率 | 23W/mK |
熱膨張係数 | 5.9 x 10-6/K |
理論密度(g/cc) | 13.31 |
Z比 | 0.36 |
スパッタ | 直流 |
最大粉末密度(ワット/平方インチ) | 50 |
債券の種類 | インジウム、エラストマー |
ハフニウムスパッタリングターゲット仕様
説明 | ハフニウムスパッタリングターゲット | |
典型的な純度 | Hf+Zr>99.99%、 | ジルコニア |
サイズ | 円形: 直径 1 mm。 | ブロック: 長さ 1 mm |
形 | ディスク、プレート | 柱、階段、特注 |
ハフニウムスパッタリングターゲットの用途
1. 半導体蒸着、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)などの蒸着プロセスに使用されます。
2. 摩耗保護、装飾コーティング、ディスプレイなどの光学用途に使用されます。
当社の高品質ハフニウムスパッタリングターゲットは、半導体および電子機器製造における薄膜堆積に最適なソリューションです。当社のハフニウムスパッタリングターゲットは、現代のスパッタリングプロセスの厳しい要件を満たすように設計されており、優れた性能と信頼性を保証します。
当社のハフニウム スパッタリング ターゲットは、さまざまなスパッタリング システムに適合するさまざまなサイズと構成で提供されており、さまざまな機器との柔軟性と互換性を提供します。マグネトロン スパッタリング、イオン ビーム スパッタリング、またはその他のスパッタリング技術のいずれを使用する場合でも、当社のハフニウム ターゲットは、一貫性のある均一なフィルム堆積を提供し、高性能の電子デバイスや半導体部品の製造に役立ちます。
標準のハフニウム スパッタリング ターゲットに加えて、当社では、独自の形状、サイズ、組成など、お客様の特定の要件を満たすカスタム製造オプションも提供しています。当社の専門家チームは、お客様の特定の薄膜堆積ニーズを満たすカスタムメイドのソリューションを提供することに専念しています。
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